浪涌電流是電源接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠(yuǎn)大于穩(wěn)態(tài)電流的峰值電流或過(guò)載電流。
浪涌電流產(chǎn)生原因：雷擊放電、設(shè)備啟停、斷路器操作等。
浪涌產(chǎn)生的時(shí)間非常短，大概在微微秒級(jí)。出現(xiàn)時(shí)，電壓電流的幅值超過(guò)正常值的兩倍以上。由于輸入濾波電容迅速充電，所以該峰值電流遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于穩(wěn)態(tài)輸入電流。
電阻-二極管串聯(lián)電路：在電容輸入端串聯(lián)電阻和二極管。當(dāng)直流母線通過(guò)電阻給電容充電時(shí)，可限制浪涌電流。但電阻會(huì)消耗一定功率，降低系統(tǒng)效率。
NTC熱敏電阻電路：NTC熱敏電阻在常溫下阻值較大，能有效限制浪涌電流。隨著電流通過(guò)，熱敏電阻發(fā)熱，阻值隨溫度升高而降低，從而減少對(duì)電路正常工作的影響。該電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低，但熱敏電阻受環(huán)境溫度影響較大。
帶軟啟動(dòng)電路的有源開(kāi)關(guān)電路：如使用MOS管，MOS管通過(guò)軟啟動(dòng)電路緩慢開(kāi)啟，在啟動(dòng)期間限制浪涌電流。這種電路需要外接電路，整體成本較高。
PMOS管有源浪涌電流限制電路：在初始階段，通過(guò)電阻給電容充電，當(dāng)C1上電壓達(dá)到一定值時(shí)，MOS管開(kāi)啟。不過(guò)該電路有功率損耗，且零件相對(duì)較多。
此外，還有復(fù)合型抑制電路，是同時(shí)使用壓敏電阻、瞬態(tài)二極管等各種防雷、瞬態(tài)過(guò)電壓保護(hù)元器件。
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