場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是一種電壓控制器件，只依靠一種載流子參與導(dǎo)電，又稱為單極型晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管主要由柵極、漏極和源極三個(gè)電極組成。場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩大類：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（IGFET）。
N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管：在同一塊N型硅片的兩側(cè)分別制作摻雜濃度較高的P型區(qū)，形成兩個(gè)對(duì)稱的PN結(jié)，將兩個(gè)P區(qū)的引出線連在一起作為一個(gè)電極，為柵極（G）。在N型硅片兩端各引出一個(gè)電極，分別稱為源極（S）和漏極（D）。P區(qū)與N區(qū)的交界面形成耗盡層（不導(dǎo)電），漏-源之間的非耗盡層區(qū)域稱為導(dǎo)電溝道（導(dǎo)電）。P溝道與之類似。
絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管：以一塊P型薄硅片作為襯底，在它上面擴(kuò)散兩個(gè)高雜質(zhì)的N型區(qū)，作為源極S和漏極D。在硅片表面覆蓋一層絕緣物（如二氧化硅），然后再用金屬鋁引出一個(gè)電極G（柵極），柵極與其它電極絕緣。通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成導(dǎo)電溝道。
場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理用一句話概括，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID，用柵極與溝道間的PN結(jié)形成的反偏的柵極電壓進(jìn)行控制”。更準(zhǔn)確地說，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，是由PN結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的。
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